Shuran Sheng, Edward Sacher et Arthur Yelon
Communication écrite (2000)
Un lien externe est disponible pour ce documentRenseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux |
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Département: | Département de génie physique |
Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/27042/ |
Nom de la conférence: | Amorphous and Heterogeneous Silicon Thin Films - 2000. Symposium |
Lieu de la conférence: | San Francisco, CA, USA |
Date(s) de la conférence: | 2000-04-24 - 2000-04-28 |
Maison d'édition: | Materials Research Society |
DOI: | 10.1557/proc-609-a10.1 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1557/proc-609-a10.1 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:21 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:07 |
Citer en APA 7: | Sheng, S., Sacher, E., & Yelon, A. (avril 2000). X-ray photoemission spectroscopic study of light-induced structural changes in amorphous silicon [Communication écrite]. Amorphous and Heterogeneous Silicon Thin Films - 2000. Symposium, San Francisco, CA, USA. https://doi.org/10.1557/proc-609-a10.1 |
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