Shuran Sheng, Edward Sacher et Arthur Yelon
Article de revue (2001)
Un lien externe est disponible pour ce documentRenseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux |
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Département: | Département de génie physique |
Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/27041/ |
Titre de la revue: | Journal of Non-Crystalline Solids (vol. 282, no 2-3) |
Maison d'édition: | Elsevier |
DOI: | 10.1016/s0022-3093(01)00339-8 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1016/s0022-3093%2801%2900339-8 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:21 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:07 |
Citer en APA 7: | Sheng, S., Sacher, E., & Yelon, A. (2001). Structural Changes in Amorphous Silicon Studied by X-Ray Photoemission Spectroscopy: a Phenomenon Independent of the Staebler-Wronski Effect? Journal of Non-Crystalline Solids, 282(2-3), 165-172. https://doi.org/10.1016/s0022-3093%2801%2900339-8 |
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