Growth and Characterization of InAs on (100) InP Ultrathin Single Quantum Wells Using Tertiarybutylarsine and Tertiarybutylphosphine

D. Frankland, Rémo A. Masut et R. Leonelli

Article de revue (2002)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/26647/
Titre de la revue:	Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films (vol. 20, no 3)
Maison d'édition:	American Vacuum Society
DOI:	10.1116/1.1474412
URL officielle:	https://doi.org/10.1116/1.1474412
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:20
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:13

Citer en APA 7:	Frankland, D., Masut, R. A., & Leonelli, R. (2002). Growth and Characterization of InAs on (100) InP Ultrathin Single Quantum Wells Using Tertiarybutylarsine and Tertiarybutylphosphine. Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 20(3), 1132-1134. https://doi.org/10.1116/1.1474412
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