Growth and Characterization of InAs on (100) InP Ultrathin Single Quantum Wells Using Tertiarybutylarsine and Tertiarybutylphosphine

D. Frankland, Rémo A. Masut, R. Leonelli

Article de revue (2002)

Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue :
Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films ( vol. 20 , no 3 )
Maison d'édition:
American Vacuum Society
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:26647
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:20
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:02
Citer en APA 7:
Frankland, D., Masut, R. A., & Leonelli, R. (2002). Growth and Characterization of InAs on (100) InP Ultrathin Single Quantum Wells Using Tertiarybutylarsine and Tertiarybutylphosphine. Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 20(3), 1132-1134. https://doi.org/10.1116/1.1474412

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document
Afficher document