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Growth and Characterization of InAs on (100) InP Ultrathin Single Quantum Wells Using Tertiarybutylarsine and Tertiarybutylphosphine

D. Frankland, Rémo A. Masut et R. Leonelli

Article de revue (2002)

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Département: Département de génie physique
Centre de recherche: GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/26647/
Titre de la revue: Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films (vol. 20, no 3)
Maison d'édition: American Vacuum Society
DOI: 10.1116/1.1474412
URL officielle: https://doi.org/10.1116/1.1474412
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:20
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:07
Citer en APA 7: Frankland, D., Masut, R. A., & Leonelli, R. (2002). Growth and Characterization of InAs on (100) InP Ultrathin Single Quantum Wells Using Tertiarybutylarsine and Tertiarybutylphosphine. Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 20(3), 1132-1134. https://doi.org/10.1116/1.1474412

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