Electronic states of ultrathin InAs/InP (001) quantum wells: a tight-binding study of the effects of band offset, strain, and intermixing

Nikolay Shtinkov, Patrick Desjardins, Rémo A. Masut

Article de revue (2002)

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Titre de la revue :
Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics ( vol. 66 , no 19 )
Maison d'édition:
American Physical Society
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:26286
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Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:21
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:01
Citer en APA 7:
Shtinkov, N., Desjardins, P., & Masut, R. A. (2002). Electronic states of ultrathin InAs/InP (001) quantum wells: a tight-binding study of the effects of band offset, strain, and intermixing. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, 66(19), 195303 (8 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.66.195303

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