Article de revue (2002)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie physique |
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Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/26187/ |
Titre de la revue: | Surface Science (vol. 516, no 1-2) |
Maison d'édition: | Elsevier |
DOI: | 10.1016/s0039-6028(02)02065-4 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1016/s0039-6028%2802%2902065-4 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:21 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:06 |
Citer en APA 7: | Yang, D.-Q., & Sacher, E. (2002). Ar+-Induced Surface Defects on HOPG and Their Effect on the Nucleation, Coalescence and Growth of Evaporated Copper. Surface Science, 516(1-2), 43-55. https://doi.org/10.1016/s0039-6028%2802%2902065-4 |
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