Nitrogen incorporation and lattice constant of strained dilute GaAs₁₋ₓNₓ layers on GaAs (001): an ab initio study

N. Shtinkov, Patrick Desjardins, Rémo A. Masut et M. Cote

Article de revue (2006)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/22511/
Titre de la revue:	Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics (vol. 74, no 3)
Maison d'édition:	American Physical Society
DOI:	10.1103/physrevb.74.035211
URL officielle:	https://doi.org/10.1103/physrevb.74.035211
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:18
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:06

Citer en APA 7:	Shtinkov, N., Desjardins, P., Masut, R. A., & Cote, M. (2006). Nitrogen incorporation and lattice constant of strained dilute GaAs₁₋ₓNₓ layers on GaAs (001): an ab initio study. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, 74(3), 035211 (8 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.74.035211
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