L.-F. Arsenault, Bijan Movaghar, Patrick Desjardins
et Arthur Yelon
Article de revue (2008)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/21184/ |
| Titre de la revue: | Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics (vol. 77, no 11) |
| Maison d'édition: | American Physical Society |
| DOI: | 10.1103/physrevb.77.115211 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1103/physrevb.77.115211 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:15 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:04 |
| Citer en APA 7: | Arsenault, L.-F., Movaghar, B., Desjardins, P., & Yelon, A. (2008). Transport in the metallic regime of Mn-doped III-V semiconductors. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, 77(11), 115211-1 - 11511-13-115211-1 - 11511-13. https://doi.org/10.1103/physrevb.77.115211 |
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