Louis-François Arsenault, Bijan Movaghar, Patrick Desjardins et Arthur Yelon
Article de revue (2008)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie physique |
---|---|
Centre de recherche: | RQMP - Regroupement québécois sur les matériaux de pointe |
Organismes subventionnaires: | NSERC |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/21184/ |
Titre de la revue: | Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics (vol. 77, no 11) |
Maison d'édition: | American Physical Society |
DOI: | 10.1103/physrevb.77.115211 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1103/physrevb.77.115211 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:15 |
Dernière modification: | 27 sept. 2024 11:41 |
Citer en APA 7: | Arsenault, L.-F., Movaghar, B., Desjardins, P., & Yelon, A. (2008). Transport in the metallic regime of Mn-doped III-V semiconductors. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, 77(11), 115211-1. https://doi.org/10.1103/physrevb.77.115211 |
---|---|
Statistiques
Dimensions