GaAs₁₋ₓNₓ on GaAs(001): Nitrogen Incorporation Kinetics From Trimethylgallium, Tertiarybutylarsine, and 1,1-Dimethylhydrazine Organometallic Vapor-Phase Epitaxy

J. N. Beaudry, Rémo A. Masut et Patrick Desjardins

Article de revue (2008)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/21127/
Titre de la revue:	Journal of Crystal Growth (vol. 310, no 6)
Maison d'édition:	Elsevier
DOI:	10.1016/j.jcrysgro.2007.12.039
URL officielle:	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.12.039
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:15
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:04

Citer en APA 7:	Beaudry, J. N., Masut, R. A., & Desjardins, P. (2008). GaAs₁₋ₓNₓ on GaAs(001): Nitrogen Incorporation Kinetics From Trimethylgallium, Tertiarybutylarsine, and 1,1-Dimethylhydrazine Organometallic Vapor-Phase Epitaxy. Journal of Crystal Growth, 310(6), 1040-1048. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.12.039
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