GaAs₁₋ₓNₓ on GaAs(001): Nitrogen Incorporation Kinetics From Trimethylgallium, Tertiarybutylarsine, and 1,1-Dimethylhydrazine Organometallic Vapor-Phase Epitaxy

Jean-Nicolas Beaudry, Rémo A. Masut, Patrick Desjardins

Article de revue (2008)

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Département:
Département de génie physique
Unité de recherche:
RQMP - Regroupement québécois sur les matériaux de pointe
Adresse URL de PolyPublie:
https://publications.polymtl.ca/21127/
Titre de la revue :
Journal of Crystal Growth ( vol. 310 , no 6 )
Maison d'édition:
Elsevier
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2007.12.039
URL officielle:
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.12.039
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:21127
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:15
Dernière modification:
14 oct. 2026 12:53
Citer en APA 7:
Beaudry, J.-N., Masut, R. A., & Desjardins, P. (2008). GaAs₁₋ₓNₓ on GaAs(001): Nitrogen Incorporation Kinetics From Trimethylgallium, Tertiarybutylarsine, and 1,1-Dimethylhydrazine Organometallic Vapor-Phase Epitaxy. Journal of Crystal Growth, 310(6), 1040-1048. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.12.039

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