Jean-Nicolas Beaudry, Rémo A. Masut
et Patrick Desjardins
Article de revue (2008)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| Centre de recherche: | RQMP - Regroupement québécois sur les matériaux de pointe |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/21127/ |
| Titre de la revue: | Journal of Crystal Growth (vol. 310, no 6) |
| Maison d'édition: | Elsevier |
| DOI: | 10.1016/j.jcrysgro.2007.12.039 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.12.039 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:15 |
| Dernière modification: | 27 sept. 2024 11:41 |
| Citer en APA 7: | Beaudry, J.-N., Masut, R. A., & Desjardins, P. (2008). GaAs₁₋ₓNₓ on GaAs(001): Nitrogen Incorporation Kinetics From Trimethylgallium, Tertiarybutylarsine, and 1,1-Dimethylhydrazine Organometallic Vapor-Phase Epitaxy. Journal of Crystal Growth, 310(6), 1040-1048. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.12.039 |
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