Jiří Houška, Jolanta-Ewa Sapieha
, Ludvik Martinu
Article de revue (2010)
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Titre de la revue
:
Journal of Applied Physics
(
vol.
107
,
no
8
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:18162
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:13
Dernière modification:
14 oct. 2026 11:21
Citer en APA 7:
Houška, J., Sapieha, J.-E., & Martinu, L. (2010). Atom-by-atom simulations of chemical vapor deposition of nanoporous hydrogenated silicon nitride. Journal of Applied Physics, 107(8), 083501-083501. https://doi.org/10.1063/1.3371680
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