Jiří Houška, Jolanta-Ewa Sapieha
et Ludvik Martinu
Article de revue (2010)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/18162/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 107, no 8) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.3371680 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.3371680 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:13 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 01:45 |
| Citer en APA 7: | Houška, J., Sapieha, J.-E., & Martinu, L. (2010). Atom-by-atom simulations of chemical vapor deposition of nanoporous hydrogenated silicon nitride. Journal of Applied Physics, 107(8), 083501-083501. https://doi.org/10.1063/1.3371680 |
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