Julia Wünsche, Giuseppe Tarabella, Simone Bertolazzi, Maimouna Bocoum, Nicola Coppede, Luisa Barba, Gianmichele Arrighetti, Luca Lutterotti, Salvatore Iannotta, Fabio Cicoira
et Clara Santato
Article de revue (2013)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: |
Département de génie chimique Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/12949/ |
| Titre de la revue: | Journal of Materials Chemistry C (vol. 1, no 5) |
| Maison d'édition: | The Royal Society of Chemistry |
| DOI: | 10.1039/c2tc00337f |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1039/c2tc00337f |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:10 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 10:52 |
| Citer en APA 7: | Wünsche, J., Tarabella, G., Bertolazzi, S., Bocoum, M., Coppede, N., Barba, L., Arrighetti, G., Lutterotti, L., Iannotta, S., Cicoira, F., & Santato, C. (2013). The correlation between gate dielectric, film growth, and charge transport in organic thin film transistors: The case of vacuum-sublimed tetracene thin films. Journal of Materials Chemistry C, 1(5), 967-976. https://doi.org/10.1039/c2tc00337f |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
