The correlation between gate dielectric, film growth, and charge transport in organic thin film transistors: The case of vacuum-sublimed tetracene thin films

Julia Wünsche, Giuseppe Tarabella, Simone Bertolazzi, Maimouna Bocoum, Nicola Coppedè, Luisa Barba, Gianmichele Arrighetti, Luca Lutterotti, Salvatore Iannotta, Fabio Cicoira, Clara Santato

Article de revue (2013)

Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue :
Journal of Materials Chemistry C ( vol. 1 , no 5 )
Maison d'édition:
The Royal Society of Chemistry
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:12949
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:10
Dernière modification:
14 oct. 2026 11:13
Citer en APA 7:
Wünsche, J., Tarabella, G., Bertolazzi, S., Bocoum, M., Coppedè, N., Barba, L., Arrighetti, G., Lutterotti, L., Iannotta, S., Cicoira, F., & Santato, C. (2013). The correlation between gate dielectric, film growth, and charge transport in organic thin film transistors: The case of vacuum-sublimed tetracene thin films. Journal of Materials Chemistry C, 1(5), 967-976. https://doi.org/10.1039/c2tc00337f

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document
Afficher document