Julia Wünsche, Giuseppe Tarabella, Simone Bertolazzi, Maimouna Bocoum, Nicola Coppede, Luisa Barba, Gianmichele Arrighetti, Luca Lutterotti, Salvatore Iannotta, Fabio Cicoira
et Clara Santato
Article de revue (2013)
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| Département: |
Département de génie chimique Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/12949/ |
| Titre de la revue: | Journal of Materials Chemistry C (vol. 1, no 5) |
| Maison d'édition: | The Royal Society of Chemistry |
| DOI: | 10.1039/c2tc00337f |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1039/c2tc00337f |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:10 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 15:49 |
| Citer en APA 7: | Wünsche, J., Tarabella, G., Bertolazzi, S., Bocoum, M., Coppede, N., Barba, L., Arrighetti, G., Lutterotti, L., Iannotta, S., Cicoira, F., & Santato, C. (2013). The correlation between gate dielectric, film growth, and charge transport in organic thin film transistors: The case of vacuum-sublimed tetracene thin films. Journal of Materials Chemistry C, 1(5), 967-976. https://doi.org/10.1039/c2tc00337f |
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