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The correlation between gate dielectric, film growth, and charge transport in organic thin film transistors: The case of vacuum-sublimed tetracene thin films

Julia Wünsche, Giuseppe Tarabella, Simone Bertolazzi, Maimouna Bocoum, Nicola Coppede, Luisa Barba, Gianmichele Arrighetti, Luca Lutterotti, Salvatore Iannotta, Fabio Cicoira et Clara Santato

Article de revue (2013)

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Département: Département de génie chimique
Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/12949/
Titre de la revue: Journal of Materials Chemistry C (vol. 1, no 5)
Maison d'édition: The Royal Society of Chemistry
DOI: 10.1039/c2tc00337f
URL officielle: https://doi.org/10.1039/c2tc00337f
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:10
Dernière modification: 25 sept. 2024 15:49
Citer en APA 7: Wünsche, J., Tarabella, G., Bertolazzi, S., Bocoum, M., Coppede, N., Barba, L., Arrighetti, G., Lutterotti, L., Iannotta, S., Cicoira, F., & Santato, C. (2013). The correlation between gate dielectric, film growth, and charge transport in organic thin film transistors: The case of vacuum-sublimed tetracene thin films. Journal of Materials Chemistry C, 1(5), 967-976. https://doi.org/10.1039/c2tc00337f

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