Peixuan Chen, J. J. Zhang, J. P. Feser, F. Pezzoli, Oussama Moutanabbir
, S. Cecchi, G. Isella, T. Gemming, S. Baunack, G. Chen, O. G. Schmidt et A. Rastelli
Article de revue (2014)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/12574/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 115, no 4) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.4863115 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.4863115 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:08 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 15:49 |
| Citer en APA 7: | Chen, P., Zhang, J. J., Feser, J. P., Pezzoli, F., Moutanabbir, O., Cecchi, S., Isella, G., Gemming, T., Baunack, S., Chen, G., Schmidt, O. G., & Rastelli, A. (2014). Thermal transport through short-period SiGe nanodot superlattices. Journal of Applied Physics, 115(4). https://doi.org/10.1063/1.4863115 |
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