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In situ studies of germanium-tin and silicon-germanium-tin thermal stability

Jean-Hughes Fournier-Lupien, Dany Chagnon, Pierre Levesque, AbdulAziz Awadh AlMutairi, Stephan Wirths, Eckhard Pippel, Gregor Mussler, Jean-Michel Hartmann, Siegfried Mantl, Dan Buca et Oussama Moutanabbir

Communication écrite (2014)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/12365/
Nom de la conférence: 6th SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing and Devices Symposium - 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting
Lieu de la conférence: Cancun, Mexico
Date(s) de la conférence: 2014-10-05 - 2014-10-09
Maison d'édition: Electrochemical Society
DOI: 10.1149/06406.0903ecst
URL officielle: https://doi.org/10.1149/06406.0903ecst
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:08
Dernière modification: 05 avr. 2024 10:51
Citer en APA 7: Fournier-Lupien, J.-H., Chagnon, D., Levesque, P., AlMutairi, A.A. A., Wirths, S., Pippel, E., Mussler, G., Hartmann, J.-M., Mantl, S., Buca, D., & Moutanabbir, O. (octobre 2014). In situ studies of germanium-tin and silicon-germanium-tin thermal stability [Communication écrite]. 6th SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing and Devices Symposium - 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting, Cancun, Mexico. https://doi.org/10.1149/06406.0903ecst

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