Documents dont l'auteur est "Lévesque, Pierre"

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Gagnon, P., Tie, M., Lévesque, P., Biron, M., Cardin-St-Antoine, B., Desjardins, P., & Martel, R. (2020). Direct Measurement of Absolute Seebeck Coefficient Using Graphene As a Zero Coefficient Reference. ECS Meeting Abstracts, MA2020-01(B06 : 2D L), 849-849. Lien externe

Fortin-Deschênes, M., Lévesque, P., Martel, R., & Moutanabbir, O. (avril 2017). Mechanisms and dynamics of two-dimensional black phosphorus sublimation [Affiche]. Materials Research Society Spring Meeting & Exhibit (MRS 2017), Phoenix, Arizona. Non disponible

Choubak, S., Lévesque, P., Gagnon, P., Martel, R., & Desjardins, P. (2016). Method of growing a graphene coating or carbon nanotubes on a catalytic substrate. (Demande de brevet no US20160376156). Lien externe

Nateghi, N., Mukherjee, S., Choubak, S., Nguyen, M., Lévesque, P., Martel, R., Desjardins, P., & Moutanabbir, O. (mai 2015). Growth of III-V semiconductors on silicon oxide/silicon using graphene interlayer [Affiche]. 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI 2015), Montréal, Québec. Non disponible

Fournier-Lupien, J.-H., Chagnon, D., Lévesque, P., Wirths, S., Pippel, E., Mussler, G., Hartmann, J. M., Mantl, S., Desjardins, P., Buca, D., & Moutanabbir, O. (mai 2015). In situ studies of germanium-tin and silicon-germanium-tin dynamics of phase separation [Affiche]. 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI 2015), Montréal, Québec. Non disponible

Fournier-Lupien, J.-H., Chagnon, D., Lévesque, P., AlMutairi, A.A. A., Wirths, S., Pippel, E., Mussler, G., Hartmann, J.-M., Mantl, S., Buca, D., & Moutanabbir, O. (2014). In Situ Studies of Germanium-Tin and Silicon-Germanium-Tin Thermal Stability. ECS Meeting Abstracts, MA2014-02(35), 1846-1846. Lien externe