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Burt, D., Joo, H.-J., Kim, Y., Jung, Y., Chen, M., Luo, M., Kang, D.-H., Assali, S., Zhang, L., Son, B., Fan, W., Moutanabbir, O., Ikonic, Z., Tan, C. S., Huang, Y.-C., & Nam, D. (2022). Direct bandgap GeSn nanowires enabled with ultrahigh tension from harnessing intrinsic compressive strain. Applied Physics Letters, 120(20), 7 pages. Lien externe
Burt, D., Jooa, H.-J., Kim, Y., Jung, Y., Chen, M., Luo, M., Kang, D.-H., Assali, S., Zhang, L., Son, B., Fan, W., Moutanabbir, O., Ikonic, Z., Tan, C. S., Huang, Y.-C., & Nam, D. (janvier 2022). Tensile-strained direct bandgap GeSnOI micro/nanostructures by harnessing residual strain [Communication écrite]. Silicon Photonics XVII. Lien externe