Documents dont l'auteur est "Daoust, Patrick"

Pour citer ou exporter
Grouper par: Rôle | Auteurs ou autrices | Date de publication | Sous-type de document | Aucun groupement
Nombre de documents: 10

A

Atalla, M. R. M., Lemieux-Leduc, C., Assali, S., Koelling, S., Daoust, P., & Moutanabbir, O. (2024). Extended short-wave infrared high-speed all-GeSn PIN photodetectors on silicon. APL Photonics, 9(5), 056103 (8 pages). Disponible

B

Bellemare, C., Atalla, M. R. M., Daoust, P., Koelling, S., Assali, S., & Moutanabbir, O. (janvier 2024). Silicon-integrated SWIR and MWIR GeSn photoconductive devices [Présentation]. Dans SPIE OPTO, 2024, San Francisco, California, United States. Lien externe

D

Daoust, P., Rotaru, N., Biswas, D., Koelling, S., Rahier, E., Dubé-Valade, A., Del Vecchio, P., Edwards, M. S., Tanvir, M., Sajadi, E., Salfi, J., & Moutanabbir, O. (2026). Nuclear Spin‐Free ⁷⁰Ge/²⁸Si⁷⁰Ge Quantum Well Heterostructures Grown on Industrial SiGe‐Buffered Wafers. Advanced Science. Lien externe

Daoust, P., Del Vecchio, P., Rotaru, N., Dubé-Valade, A., Assali, S., Attiaoui, A., Daligou, G. T. E. G., Koelling, S., Luo, L., Rahier, E., & Moutanabbir, O. (2025). Reduced Pressure Chemical Vapour Deposition Growth of Nuclear Spin-Free 70Ge/28Si70Ge Heterostructures on Industrial Si-Ge Substrates. Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM), MA2025-01(36), 1717 (1 page). Lien externe

Daoust, P., Rotaru, N., Dubé-Valade, A., Koelling, S., Rahier, E., Del Vecchio, P., Biswas, D., Edwards, M., Tanvir, M., Sajadi, E., Salfi, J., & Moutanabbir, O. (novembre 2025). Isotopically pure 70Ge/28Si70Ge heterostructures grown on SiGe-buffered Si wafers [Communication écrite]. 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025), Yokohama-shi, Kanagawa, Japan. Non disponible

Daoust, P., Coia, C., Desjardins, P., & Masut, R. A. (2017). Piezoelectric Alloy Films. (Demande de brevet no US2017/0263847 A1). Lien externe

Daoust, P., Coia, C., Desjardins, P., & Masut, R. A. (2017). Piezoelectric Alloy Films. (Demande de brevet no EP3216894 A1). Lien externe

Daoust, P. (mai 2017). Calcul informatique de pointe pour le développement d'alliages à base de nitrure d'aluminium et de nitrure de terres rares [Affiche]. 85e congrès de l’ACFAS, Montréal, QC, Canada. Lien externe

L

Lemieux-Leduc, C., Atalla, M. R. M., Assali, S., Daoust, P., Daligou, G. T. E. G., Brodeur, J., Kéna-Cohen, S., Peter, Y.-A., & Moutanabbir, O. (novembre 2023). Transfer-printing of GeSn membranes for broadband photodetection in the extended short-wave infrared [Communication écrite]. IEEE Photonics Conference (IPC 2023), Orlando, FL, USA (2 pages). Lien externe

M

Moutanabbir, O., Assali, S., Attiaoui, A., Daligou, G. T. E. G., Daoust, P., Del Vecchio, P., Koelling, S., Luo, L., & Rotaru, N. (2023). Nuclear Spin-Depleted, Isotopically Enriched⁷⁰Ge/²⁸ Si⁷⁰Ge Quantum Wells. Advanced Materials, 2305703 (7 pages). Lien externe

Liste produite: Thu Oct 15 08:44:17 2026 EDT.