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Réalisation de contacts ohmiques sur phosphure d'indium de types N et P

Gilbert Lefebvre

Masters thesis (1996)

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Cite this document: Lefebvre, G. (1996). Réalisation de contacts ohmiques sur phosphure d'indium de types N et P (Masters thesis, École Polytechnique de Montréal). Retrieved from https://publications.polymtl.ca/9000/
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Abstract

Théorie de la jonction métal/semiconducteur -- Définition du contact ohmique -- Modèles physiques de la jonction métal/semiconducteur -- Mécanismes et modes de transport à la jonction ohmique -- Technologie et procédés de fabrication des contacts ohmiques -- Techniques et procédés de fabrication -- Caractérisation électrique -- Méthodes de caractérisation pour contacts horizontaux -- Méthodes de caractérisation pour substrats entièrement dopés -- L'art du contact ohmique sur InP -- Propriétés du phosphure d'indium -- Nettoyage de la surface de l'InP -- Systèmes métal/InP -- Systèmes métal/p-InP.

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Additional Information: Le fichier PDF de ce document a été produit par Bibliothèque et Archives Canada selon les termes du programme Thèses Canada https://canada.on.worldcat.org/oclc/1199333763
Department: Département de génie physique
Date Deposited: 04 Aug 2021 11:06
Last Modified: 25 Aug 2021 14:59
PolyPublie URL: https://publications.polymtl.ca/9000/

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