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Caractérisation et modélisation de la croissance épitaxiale et de la relaxation des contraintes dans les hétérostructures semi-conductrices

P. Desjardins

PhD thesis (1996)

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Cite this document: Desjardins, P. (1996). Caractérisation et modélisation de la croissance épitaxiale et de la relaxation des contraintes dans les hétérostructures semi-conductrices (PhD thesis, École Polytechnique de Montréal). Retrieved from https://publications.polymtl.ca/8958/
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Abstract

Objectifs et organisation de la thèse -- Introduction aux modes de croissance épitaxiale et à la relaxation des contraintes -- Techniques expérimentales -- Relaxation des contraintes par la génération de dislocations de désaccord paramétrique -- Croissance par propagation des marches -- Caractérisation de la microstructure et de la relaxation des contraintes dans les hétérostructures à contraintes compensées GaInP/INAsp déposées sur InP (001).

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Additional Information: Le fichier PDF de ce document a été produit par Bibliothèque et Archives Canada selon les termes du programme Thèses Canada https://canada.on.worldcat.org/oclc/1158013842
Department: Département de génie physique
Date Deposited: 04 Aug 2021 11:06
Last Modified: 25 Aug 2021 14:59
PolyPublie URL: https://publications.polymtl.ca/8958/

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