Ma Yl, Yuqiao Zheng, Huaze Zhu, Tong Jiang, Mohamad Sawan
, Sailing He
Article de revue (2026)
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Mots clés
Département:
Organismes subventionnaires:
National Natural Science Foundation of China, National Key Research and Development Program of China
Numéro de subvention:
2022YFB2804100, W2412107
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Small Methods
(
vol.
10
,
no
14
)
Maison d'édition:
Wiley
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:81830
ORCID
Date du dépôt:
29 sept. 2026 14:48
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:47
Citer en APA 7:
Yl, M., Zheng, Y., Zhu, H., Jiang, T., Sawan, M., & He, S. (2026). Dual‐Functional Metal Interlayer Enables High‐Quality GaN Epitaxy and Low‐Damage Transfer Towards Flexible Optoelectronics. Small Methods, 10(14), e70792 (13 pages). https://doi.org/10.1002/smtd.70792
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