Ma Yl, Yuqiao Zheng, Huaze Zhu, Tong Jiang, Mohamad Sawan
et Sailing He
Article de revue (2026)
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| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| Organismes subventionnaires: | National Natural Science Foundation of China, National Key Research and Development Program of China |
| Numéro de subvention: | 2022YFB2804100, W2412107 |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/81830/ |
| Titre de la revue: | Small Methods (vol. 10, no 14) |
| Maison d'édition: | Wiley |
| DOI: | 10.1002/smtd.70792 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1002/smtd.70792 |
| Date du dépôt: | 29 sept. 2026 14:48 |
| Dernière modification: | 29 sept. 2026 14:48 |
| Citer en APA 7: | Yl, M., Zheng, Y., Zhu, H., Jiang, T., Sawan, M., & He, S. (2026). Dual‐Functional Metal Interlayer Enables High‐Quality GaN Epitaxy and Low‐Damage Transfer Towards Flexible Optoelectronics. Small Methods, 10(14), e70792 (13 pages). https://doi.org/10.1002/smtd.70792 |
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