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Modélisation du transport par piégeage multiple de porteurs électroniques dans le silicium amorphe hydrogéné

Jesse Maassen

Masters thesis (2006)

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Cite this document: Maassen, J. (2006). Modélisation du transport par piégeage multiple de porteurs électroniques dans le silicium amorphe hydrogéné (Masters thesis, École Polytechnique de Montréal). Retrieved from https://publications.polymtl.ca/7922/
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Abstract

Semi-conducteurs amorphes, expérience de temps de vol, transport électronique et modélisation Monte Carlo -- Révision de l'interaction par effet de champ (tunnel) entre les porteurs et la DOS localisés -- Transport controlé par le piégeage multiple avec effet Meyer-Neldel et dépiégeage par effet tunnel : simulations de l'expérience de temps de vol dans le a-Si:H -- Simulation des expériences de temps de vol à des temps de l'ordre de la picoseconde dans le a-Si:H.

Uncontrolled Keywords

Électronique -- Matériaux; Silicium; Électrons -- Transport -- Modèles mathématiques; Porteurs en excès

Open Access document in PolyPublie
Additional Information: Le fichier PDF de ce document a été produit par Bibliothèque et Archives Canada selon les termes du programme Thèses Canada https://canada.on.worldcat.org/oclc/276641752
Department: Département de génie physique
Date Deposited: 04 Aug 2021 11:05
Last Modified: 25 Aug 2021 14:58
PolyPublie URL: https://publications.polymtl.ca/7922/

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