Synthèse et caractérisation d'hétérostructures de (In)GaAsN pour l'optoélectronique

Abstract

Intérêt et applications des alliages à base de GaAsN -- Les défis associés au (In) GaAsN et autres nitrures dilués -- Objectifs et organisation de la thèse -- Collaborations et communications scientifiques -- Mise en contexte -- Choix des organométalliques -- Pyrolyse des organométalliques -- Croissance du (In) GaAsnN -- Propriétés structurales du GaAsN -- Épitaxie des semi-conducteurs -- Le procédé OMVPE -- Diffraction des rayons X à haute résolution -- Microscopie électronique en transmission -- Spectroscopie de masse des ions secondaires (SIMS) -- Spectroscopie de dispersion Brillouin -- Analyses par faisceaux d'ions -- Étude de la cinétique de croissance épitaxiale de GaAs1-xNx/GaAs(001) -- Étude de l'incorporation d'azote et de la variation du paramètre de maille dans le GaAs1-xNx -- Organometallic vapor phase epitaxy of GaAs1-1Nx alloy layers on GaAs (001) : nitrogen incorporation and lattice parameter variation -- Étude de la dépendence des constantes élastiques du GaAs1-xNx en fonction de la composition -- Multicouches GaAsN/GaAs et quaternaires InGaAsN.

Uncontrolled Keywords

Hétérostructures; Semi-conducteurs -- Conception et construction; Optoélectronique -- Matériaux; Gallium -- Composés