Impact of scandium substitution on the second-order nonlinearity of epitaxial aluminum nitride thin films

Pierre-Luc Thériault, Jiangnan Liu, Haochen Wang, Matthias Florian, Huabin Yu, Md Mehedi Hasan Tanim, You Wu, Chris G. Van de Walle, Mackillo Kira, Stéphane Kéna-Cohen, Zetian Mi

Article de revue (2026)

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Mots clés

Organismes subventionnaires:
National Science Foundation, Semiconductor Research Corporation, University of Michigan, Canada Research Chairs, Defense Sciences Office, DARPA, Army Research Office
Numéro de subvention:
2137603, 2435166, 2138259, 2138296, 2138307, W911NF2210139, 2138286, W911NF2420210, DMR070069
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue :
Applied Physics Letters ( vol. 128 , no 14 )
Maison d'édition:
American Institute of Physics
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:76170
ORCID
Date du dépôt:
27 avr. 2026 11:24
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:37
Citer en APA 7:
Thériault, P.-L., Liu, J., Wang, H., Florian, M., Yu, H., Tanim, M. M. H., Wu, Y., Van de Walle, C. G., Kira, M., Kéna-Cohen, S., & Mi, Z. (2026). Impact of scandium substitution on the second-order nonlinearity of epitaxial aluminum nitride thin films. Applied Physics Letters, 128(14), 142202 (6 pages). https://doi.org/10.1063/5.0324178

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