Mostafa Katebi, Abbas Erfanian, Mohammad Azim Karami et Mohamad Sawan
Communication écrite (2024)
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| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| ISBN: | 9798350379396 |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/74230/ |
| Nom de la conférence: | International Conference on Microelectronics (ICM 2024) |
| Lieu de la conférence: | Doha, Qatar |
| Date(s) de la conférence: | 2024-12-14 - 2024-12-17 |
| Maison d'édition: | Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| DOI: | 10.1109/icm63406.2024.10815807 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/icm63406.2024.10815807 |
| Date du dépôt: | 09 avr. 2026 15:16 |
| Dernière modification: | 09 avr. 2026 15:16 |
| Citer en APA 7: | Katebi, M., Erfanian, A., Karami, M. A., & Sawan, M. (décembre 2024). A 18.06 Ppm/°C Fully CMOS Bandgap Voltage Reference: Experimental Results [Communication écrite]. International Conference on Microelectronics (ICM 2024), Doha, Qatar (4 pages). https://doi.org/10.1109/icm63406.2024.10815807 |
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