Michel Dagenais, Serge Gaiotti et Nicholas Rumin
Article de revue (1992)
Un lien externe est disponible pour ce document| Département: | Département de génie informatique et génie logiciel |
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| Organismes subventionnaires: | Natural Sciences and Engineering Research Council of Canada (NSERC), Ministry of Higher Education and Science of Québec, Canadian Microelectronics Corporation |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/74088/ |
| Titre de la revue: | IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems (vol. 11, no 3) |
| Maison d'édition: | Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| DOI: | 10.1109/43.124425 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/43.124425 |
| Date du dépôt: | 16 avr. 2026 14:34 |
| Dernière modification: | 16 avr. 2026 14:34 |
| Citer en APA 7: | Dagenais, M., Gaiotti, S., & Rumin, N. (1992). Transistor-level estimation of worst-case delays in MOS VLSI circuits. IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 11(3), 384-395. https://doi.org/10.1109/43.124425 |
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