Gavin P. Forcade, Christopher E. Valdivia, Shengyuan Lu, Sean Molesky
, Alejandro W. Rodriguez, Jacob J. Krich, Raphael St-Gelais et Karin Hinzer
Communication écrite (2021)
Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal
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| ISBN: | 9781665412766 |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/73667/ |
| Nom de la conférence: | International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2021) |
| Lieu de la conférence: | Turin, Italy |
| Date(s) de la conférence: | 2021-09-13 - 2021-09-17 |
| Maison d'édition: | Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| DOI: | 10.1109/nusod52207.2021.9541515 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/nusod52207.2021.9541515 |
| Date du dépôt: | 12 mai 2026 15:56 |
| Dernière modification: | 12 mai 2026 15:56 |
| Citer en APA 7: | Forcade, G. P., Valdivia, C. E., Lu, S., Molesky, S., Rodriguez, A. W., Krich, J. J., St-Gelais, R., & Hinzer, K. (septembre 2021). Modeling Efficiency of InAs-Based Near-Field Thermophotovoltaic Devices [Communication écrite]. International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2021), Turin, Italy. https://doi.org/10.1109/nusod52207.2021.9541515 |
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