Zhaoming Lu, Edward Sacher, A. Selmani, Arthur Yelon
Article de revue (1989)
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Titre de la revue
:
Applied Physics Letters
(
vol.
54
,
no
26
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:73514
ORCID
Date du dépôt:
13 avr. 2026 14:26
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:34
Citer en APA 7:
Lu, Z., Sacher, E., Selmani, A., & Yelon, A. (1989). Supersaturated substitutional Ga+ ion implanted in silicon studied by x-ray photoelectron spectroscopy. Applied Physics Letters, 54(26), 2665-2667. https://doi.org/10.1063/1.101029
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