Supersaturated substitutional Ga+ ion implanted in silicon studied by x-ray photoelectron spectroscopy

Zhaoming Lu, Edward Sacher, A. Selmani et Arthur Yelon

Article de revue (1989)

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Département:	Département de génie physique
Centre de recherche:	GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/73514/
Titre de la revue:	Applied Physics Letters (vol. 54, no 26)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.101029
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.101029
Date du dépôt:	13 avr. 2026 14:26
Dernière modification:	13 avr. 2026 14:26

Citer en APA 7:	Lu, Z., Sacher, E., Selmani, A., & Yelon, A. (1989). Supersaturated substitutional Ga+ ion implanted in silicon studied by x-ray photoelectron spectroscopy. Applied Physics Letters, 54(26), 2665-2667. https://doi.org/10.1063/1.101029
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