Epitaxy of GaAs by the Close‐Spaced Vapor Transport Technique

D. Côté, Jean-Pol Dodelet, B. A. Lombos et J. I. Dickson

Article de revue (1986)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/69946/
Titre de la revue:	Journal of The Electrochemical Society (vol. 133, no 9)
Maison d'édition:	Institute of Physics
DOI:	10.1149/1.2109051
URL officielle:	https://doi.org/10.1149/1.2109051
Date du dépôt:	19 nov. 2025 16:18
Dernière modification:	19 nov. 2025 16:18

Citer en APA 7:	Côté, D., Dodelet, J.-P., Lombos, B. A., & Dickson, J. I. (1986). Epitaxy of GaAs by the Close‐Spaced Vapor Transport Technique. Journal of The Electrochemical Society, 133(9), 1925-1934. https://doi.org/10.1149/1.2109051
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