Band bending and Fermi level shifts in phosphorus-doped hydrogenated amorphous silicon studied by X-ray photoelectron spectroscopy

T. Bekkay, Konstantinos Piyakis, Y. Diawara, Edward Sacher, Arthur Yelon et John F. Currie

Article de revue (1991)

Un lien externe est disponible pour ce document

Département:	Département de génie physique
Centre de recherche:	GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/69590/
Titre de la revue:	Surface Science (vol. 258, no 1-3)
Maison d'édition:	Elsevier BV
DOI:	10.1016/0039-6028(91)90913-d
URL officielle:	https://doi.org/10.1016/0039-6028%2891%2990913-d
Date du dépôt:	25 nov. 2025 15:04
Dernière modification:	25 nov. 2025 15:04

Citer en APA 7:	Bekkay, T., Piyakis, K., Diawara, Y., Sacher, E., Yelon, A., & Currie, J. F. (1991). Band bending and Fermi level shifts in phosphorus-doped hydrogenated amorphous silicon studied by X-ray photoelectron spectroscopy. Surface Science, 258(1-3), 190-196. https://doi.org/10.1016/0039-6028%2891%2990913-d
APA 7 (HTML)ASCII CitationAtomBibTeXDOIsDublin CoreEndNote (.ENW)MARC (ISO 2709/UTF-8) (.MRC)MARC (UTF-8) (.MRK8)MARC XMLMPEG-21 DIDLMultiline CSVOAI-ORE Resource Map (Atom Format)OPENAIREOpenURL ContextObjectOpenURL ContextObject in SpanRDF+N-TriplesRDF+N3RDF+XMLReferReference Manager (.RIS)Simple Metadata

Statistiques

Actions réservées au personnel