T. Bekkay, Konstantinos Piyakis, Y. Diawara, Edward Sacher, Arthur Yelon
, John F. Currie
Article de revue (1991)
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Titre de la revue
:
Surface Science
(
vol.
258
,
no
1-3
)
Maison d'édition:
Elsevier BV
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:69590
ORCID
Date du dépôt:
25 nov. 2025 15:04
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:30
Citer en APA 7:
Bekkay, T., Piyakis, K., Diawara, Y., Sacher, E., Yelon, A., & Currie, J. F. (1991). Band bending and Fermi level shifts in phosphorus-doped hydrogenated amorphous silicon studied by X-ray photoelectron spectroscopy. Surface Science, 258(1-3), 190-196. https://doi.org/10.1016/0039-6028%2891%2990913-d
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