Thermally induced In/Ga interdiffusion in InₓGa₁₋ₓAs/GaAs strained single quantum well grown by LPMOVPE

F. Iikawa, P. Motisuke, J. A. Brum, M. Sacilotti, A. P. Roth et Rémo A. Masut

Article de revue (1988)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/69547/
Titre de la revue:	Journal of Crystal Growth (vol. 93, no 1-4)
Maison d'édition:	Elsevier BV
DOI:	10.1016/0022-0248(88)90549-0
URL officielle:	https://doi.org/10.1016/0022-0248%2888%2990549-0
Date du dépôt:	26 nov. 2025 12:07
Dernière modification:	26 nov. 2025 12:07

Citer en APA 7:	Iikawa, F., Motisuke, P., Brum, J. A., Sacilotti, M., Roth, A. P., & Masut, R. A. (1988). Thermally induced In/Ga interdiffusion in InₓGa₁₋ₓAs/GaAs strained single quantum well grown by LPMOVPE. Journal of Crystal Growth, 93(1-4), 336-341. https://doi.org/10.1016/0022-0248%2888%2990549-0
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