Thermally induced In/Ga interdiffusion in InₓGa₁₋ₓAs/GaAs strained single quantum well grown by LPMOVPE

Iikawa, F.; Motisuke, P.; Brum, J. A.; Sacilotti, M.; Roth, A. P.; Masut, Rémo A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.; Brum, J. A.; Sacilotti, M.; Roth, A. P.; Masut, Rémo A.

Thermally induced In/Ga interdiffusion in InₓGa₁₋ₓAs/GaAs strained single quantum well grown by LPMOVPE

F. Iikawa, P. Motisuke, J. A. Brum, M. Sacilotti, A. P. Roth, Rémo A. Masut

Article de revue (1988)

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Département:

Département de génie physique

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/69547/

Titre de la revue :

Journal of Crystal Growth ( vol. 93 , no 1-4 )

Maison d'édition:

Elsevier BV

DOI:

10.1016/0022-0248(88)90549-0

URL officielle:

https://doi.org/10.1016/0022-0248%2888%2990549-0

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:69547

ORCID

Date du dépôt:

26 nov. 2025 12:07

Dernière modification:

14 oct. 2026 14:30

Citer en APA 7:

Iikawa, F., Motisuke, P., Brum, J. A., Sacilotti, M., Roth, A. P., & Masut, R. A. (1988). Thermally induced In/Ga interdiffusion in InₓGa₁₋ₓAs/GaAs strained single quantum well grown by LPMOVPE. Journal of Crystal Growth, 93(1-4), 336-341. https://doi.org/10.1016/0022-0248%2888%2990549-0

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