Thermodynamic equilibrium displacement controlled epitaxial growth of GaAs

B. A. Lombos, D. Côté, Jean-Pol Dodelet, M. F. Lawrence, J. Ivan Dickson

Article de revue (1986)

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Titre de la revue :
Journal of Crystal Growth ( vol. 79 , no 1-3 )
Maison d'édition:
Elsevier BV
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:69546
ORCID
Date du dépôt:
26 nov. 2025 12:10
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:30
Citer en APA 7:
Lombos, B. A., Côté, D., Dodelet, J.-P., Lawrence, M. F., & Dickson, J. I. (1986). Thermodynamic equilibrium displacement controlled epitaxial growth of GaAs. Journal of Crystal Growth, 79(1-3), 455-462. https://doi.org/10.1016/0022-0248%2886%2990477-x

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