Thermodynamic equilibrium displacement controlled epitaxial growth of GaAs

B. A. Lombos, D. Côté, Jean-Pol Dodelet, M. F. Lawrence et J. Ivan Dickson

Article de revue (1986)

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Département:	Département de génie mécanique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/69546/
Titre de la revue:	Journal of Crystal Growth (vol. 79, no 1-3)
Maison d'édition:	Elsevier BV
DOI:	10.1016/0022-0248(86)90477-x
URL officielle:	https://doi.org/10.1016/0022-0248%2886%2990477-x
Date du dépôt:	26 nov. 2025 12:10
Dernière modification:	26 nov. 2025 12:10

Citer en APA 7:	Lombos, B. A., Côté, D., Dodelet, J.-P., Lawrence, M. F., & Dickson, J. I. (1986). Thermodynamic equilibrium displacement controlled epitaxial growth of GaAs. Journal of Crystal Growth, 79(1-3), 455-462. https://doi.org/10.1016/0022-0248%2886%2990477-x
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