Caractérisation d'une barrière de diffusion de TiN oxydée par plasma

Abstract

Métallisation des circuits intégrés -- Percement de la jonction P-N -- Barrières de diffusion -- Diagrammes de phases -- Méthode expérimentale -- Préparation des échantillons -- Appareils et techniques des couches minces -- Types d'échantillons et traitements subis -- Recuits thermiques -- Diffraction des rayons X -- Détection du recul élastique -- Principe de la détection du recul élastique -- Paramètres de mesures -- Spectres de détection du recul élastique -- Calcul de concentrations -- Avantages et limites de la technique -- Microscopie électronique à balayage -- Microcopie électronique à balayage avec émission de champ -- Spectroscopie par rayons X -- Simulations Monte Carlo -- Barrière de diffusion de TiN usuelle -- Effet de la température de recuit -- Effet de l'exposition à l'air du TiN -- Effet du substrat -- Conséquences sur les propriétés électriques -- Barrière de TiN oxydée par plasma -- Oxydation du TiN par plasma ex- situ d'oxygène -- Oxydation du TiN par plasma in-situ de Ar/O2 -- Conséquences sur les propriétés électriques.