Photoluminescence from single nitrogen isoelectronic centers in gallium phosphide produced by ion implantation

Gabriel Éthier-Majcher, Philippe St-Jean, Alaric Bergeron, Anne-Laurence Phaneuf-L'Heureux, Sjoerd Roorda, Sébastien Francoeur

Article de revue (2013)

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Département:
Département de génie physique
Adresse URL de PolyPublie:
https://publications.polymtl.ca/65838/
Titre de la revue :
Journal of Applied Physics ( vol. 114 , no 3 )
Maison d'édition:
AIP Publishing
DOI:
10.1063/1.4815883
URL officielle:
https://doi.org/10.1063/1.4815883
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:65838
ORCID
Date du dépôt:
30 mai 2025 10:01
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:26
Citer en APA 7:
Éthier-Majcher, G., St-Jean, P., Bergeron, A., Phaneuf-L'Heureux, A.-L., Roorda, S., & Francoeur, S. (2013). Photoluminescence from single nitrogen isoelectronic centers in gallium phosphide produced by ion implantation. Journal of Applied Physics, 114(3), 034307 (4 pages). https://doi.org/10.1063/1.4815883

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