Gabriel Éthier-Majcher
, Philippe St-Jean, Alaric Bergeron, Anne-Laurence Phaneuf-L'Heureux, Sjoerd Roorda et Sébastien Francoeur
Article de revue (2013)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/65838/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 114, no 3) |
| Maison d'édition: | AIP Publishing |
| DOI: | 10.1063/1.4815883 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.4815883 |
| Date du dépôt: | 30 mai 2025 10:01 |
| Dernière modification: | 30 mai 2025 10:01 |
| Citer en APA 7: | Éthier-Majcher, G., St-Jean, P., Bergeron, A., Phaneuf-L'Heureux, A.-L., Roorda, S., & Francoeur, S. (2013). Photoluminescence from single nitrogen isoelectronic centers in gallium phosphide produced by ion implantation. Journal of Applied Physics, 114(3), 034307 (4 pages). https://doi.org/10.1063/1.4815883 |
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