Synaptic Ion-Gated Transistors for Neuromorphic Computing Applications: Impact of Materials Properties and Ionic Media

Cette thèse explore le comportement synaptique des transistors à grille ionique (IGT) en utilisant le polymère conducteur poly(3-hexylthiophène) (P3HT) et le trioxyde de tungstène (WO3) comme matériaux de canal, en mettant l'accent sur le temps de réponse et le comportement synaptique pour les applications informatiques neuromorphiques. Les IGT sont essentiels pour imiter les synapses biologiques en raison de leur capacité à reproduire à la fois la plasticité synaptique à court terme (STP) et à long terme (LTP) et leur faible consommation de puissance. Les paramètres que nous avons sélectionnés pour l'étude sont le poids moléculaire et l'épaisseur de la couche mince de P3HT, ainsi que la présence d'ions de lithium (Li+) dans le milieu ionique de la grille d’un IGT à base de WO3: leur effet a été observé sur le temps de réponse et la fonctionnalité synaptique de transistors. La première partie de l'étude montre comment contrôler le temps de réponse des IGT, qui est un aspect important de la modulation de la pl