Modelling of Drift Mobility Experiments on a-Si:H

Wen Chao Chen, Louis-André Hamel, Mathieu Kemp, Arthur Yelon

Article de revue (1999)

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Titre de la revue :
MRS Proceedings ( vol. 557 )
Maison d'édition:
Springer
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:52474
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:22
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:10
Citer en APA 7:
Chen, W. C., Hamel, L.-A., Kemp, M., & Yelon, A. (1999). Modelling of Drift Mobility Experiments on a-Si:H. MRS Proceedings, 557, 433-438. https://doi.org/10.1557/proc-557-433

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