Wen Chao Chen, Louis-André Hamel, Mathieu Kemp et Arthur Yelon
Article de revue (1999)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/52474/ |
| Titre de la revue: | MRS Proceedings (vol. 557) |
| Maison d'édition: | Springer |
| DOI: | 10.1557/proc-557-433 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1557/proc-557-433 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:22 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:21 |
| Citer en APA 7: | Chen, W. C., Hamel, L.-A., Kemp, M., & Yelon, A. (1999). Modelling of Drift Mobility Experiments on a-Si:H. MRS Proceedings, 557, 433-438. https://doi.org/10.1557/proc-557-433 |
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