Modelling of Drift Mobility Experiments on a-Si:H

Wen Chao Chen, Louis-André Hamel, Mathieu Kemp et Arthur Yelon

Article de revue (1999)

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Département:	Département de génie physique
Centre de recherche:	GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/52474/
Titre de la revue:	MRS Proceedings (vol. 557)
Maison d'édition:	Springer
DOI:	10.1557/proc-557-433
URL officielle:	https://doi.org/10.1557/proc-557-433
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:22
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:43

Citer en APA 7:	Chen, W. C., Hamel, L.-A., Kemp, M., & Yelon, A. (1999). Modelling of Drift Mobility Experiments on a-Si:H. MRS Proceedings, 557, 433-438. https://doi.org/10.1557/proc-557-433
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