Construction of NiO and Ti3+ self-doped TNTs thin film as a high quantum yield p-n type heterojunction via a novel photoelectrodeposition-assisted anodization method

Javad Vahabzadeh Pasikhani, Bahareh Ghorbani Aliabadi, Neda Gilani, Azadeh Ebrahimian Pirbazari

Article de revue (2021)

Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Voir chez l'éditeur officiel
Département:
Département de génie chimique
Unité de recherche:
PEARL - Laboratoire de recherche avancée en génie des procédés
Adresse URL de PolyPublie:
https://publications.polymtl.ca/49443/
Titre de la revue :
Journal of Photochemistry and Photobiology a-Chemistry ( vol. 418 )
Maison d'édition:
Elsevier
DOI:
10.1016/j.jphotochem.2021.113433
URL officielle:
https://doi.org/10.1016/j.jphotochem.2021.113433
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:49443
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:00
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:05
Citer en APA 7:
Pasikhani, J. V., Aliabadi, B. G., Gilani, N., & Pirbazari, A. E. (2021). Construction of NiO and Ti3+ self-doped TNTs thin film as a high quantum yield p-n type heterojunction via a novel photoelectrodeposition-assisted anodization method. Journal of Photochemistry and Photobiology a-Chemistry, 418, 113433 (15 pages). https://doi.org/10.1016/j.jphotochem.2021.113433

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document
Afficher document