Improved Schottky barrier on n-Sb2S3 films chemically deposited with silicotungstic acid

Oumarou Savadogo, Krishna C. Mandal

Communication écrite (1992)

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Titre de la revue :
Electronics Letters ( vol. 28 , no 18 )
Maison d'édition:
Institution of Engineering and Technology
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:48284
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:26
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:03
Citer en APA 7:
Savadogo, O., & Mandal, K. C. Improved Schottky barrier on n-Sb2S3 films chemically deposited with silicotungstic acid [Communication écrite]. Non spécifié. https://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/el_19921069

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