Roberto Bergamaschini, Rianne C. Plantenga, Marco Albani, Emilio Scalise, Yizhen Ren, Håkon Ikaros T. Hauge, Sebastian Kölling, Francesco Montalenti, Erik P. A. M. Bakkers, Marcel A. Verheijen et Leonida Miglio
Article de revue (2021)
Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/47309/ |
| Titre de la revue: | Nanoscale (vol. 13, no 20) |
| Maison d'édition: | The Royal Society of Chemistry |
| DOI: | 10.1039/d0nr08051a |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1039/d0nr08051a |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 14:59 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:35 |
| Citer en APA 7: | Bergamaschini, R., Plantenga, R. C., Albani, M., Scalise, E., Ren, Y., Hauge, H. I. T., Kölling, S., Montalenti, F., Bakkers, E. P. A. M., Verheijen, M. A., & Miglio, L. (2021). Prismatic Ge-rich inclusions in the hexagonal SiGe shell of GaP-Si-SiGe nanowires by controlled faceting. Nanoscale, 13(20), 9436-9445. https://doi.org/10.1039/d0nr08051a |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
