Dilute-antimonide GaSbN/GaN dots-in-wire heterostructures grown by molecular beam epitaxy: Structural and optical properties

Faqrul A. Chowdhury, Michel L. Trudeau, Renjie Wang, Hong Guo et Zetian Mi

Article de revue (2021)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/47005/
Titre de la revue:	Applied Physics Letters (vol. 118, no 1)
Maison d'édition:	American Institute of Physics Inc.
DOI:	10.1063/5.0029761
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/5.0029761
Date du dépôt:	18 avr. 2023 14:59
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:47

Citer en APA 7:	Chowdhury, F. A., Trudeau, M. L., Wang, R., Guo, H., & Mi, Z. (2021). Dilute-antimonide GaSbN/GaN dots-in-wire heterostructures grown by molecular beam epitaxy: Structural and optical properties. Applied Physics Letters, 118(1), 7 pages. https://doi.org/10.1063/5.0029761
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