Dilute-antimonide GaSbN/GaN dots-in-wire heterostructures grown by molecular beam epitaxy: Structural and optical properties

Faqrul A. Chowdhury, Michel L. Trudeau, Renjie Wang, Hong Guo, Zetian Mi

Article de revue (2021)

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Titre de la revue :
Applied Physics Letters ( vol. 118 , no 1 )
Maison d'édition:
American Institute of Physics Inc.
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:47005
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 14:59
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:01
Citer en APA 7:
Chowdhury, F. A., Trudeau, M. L., Wang, R., Guo, H., & Mi, Z. (2021). Dilute-antimonide GaSbN/GaN dots-in-wire heterostructures grown by molecular beam epitaxy: Structural and optical properties. Applied Physics Letters, 118(1), 7 pages. https://doi.org/10.1063/5.0029761

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