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Dilute-antimonide GaSbN/GaN dots-in-wire heterostructures grown by molecular beam epitaxy: Structural and optical properties

Faqrul A. Chowdhury, Michel L. Trudeau, Renjie Wang, Hong Guo et Zetian Mi

Article de revue (2021)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/47005/
Titre de la revue: Applied Physics Letters (vol. 118, no 1)
Maison d'édition: American Institute of Physics Inc.
DOI: 10.1063/5.0029761
URL officielle: https://doi.org/10.1063/5.0029761
Date du dépôt: 18 avr. 2023 14:59
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:35
Citer en APA 7: Chowdhury, F. A., Trudeau, M. L., Wang, R., Guo, H., & Mi, Z. (2021). Dilute-antimonide GaSbN/GaN dots-in-wire heterostructures grown by molecular beam epitaxy: Structural and optical properties. Applied Physics Letters, 118(1), 7 pages. https://doi.org/10.1063/5.0029761

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