Arunprabaharan Subramanian, Ben George, Sanyasi Rao Bobbara, Irina Valitova, Irene Ruggeri, Francesca Borghi, Alessandro Podesta, Paolo Milani, Francesca Soavi, Clara Santato
et Fabio Cicoira
Article de revue (2020)
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| Département: |
Département de génie physique Département de génie chimique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/45709/ |
| Titre de la revue: | AIP Advances (vol. 10, no 6) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics Inc. |
| DOI: | 10.1063/5.0009984 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/5.0009984 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:01 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:45 |
| Citer en APA 7: | Subramanian, A., George, B., Bobbara, S. R., Valitova, I., Ruggeri, I., Borghi, F., Podesta, A., Milani, P., Soavi, F., Santato, C., & Cicoira, F. (2020). Ion-gated transistors based on porous and compact TiO₂ films: Effect of Li ions in the gating medium. AIP Advances, 10(6), 7 pages. https://doi.org/10.1063/5.0009984 |
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