Arunprabaharan Subramanian, Ben George, Sanyasi Rao Bobbara, Irina Valitova, Irene Ruggeri, Francesca Borghi, Alessandro Podesta, Paolo Milani, Francesca Soavi, Clara Santato
et Fabio Cicoira
Article de revue (2020)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: |
Département de génie physique Département de génie chimique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/45709/ |
| Titre de la revue: | AIP Advances (vol. 10, no 6) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics Inc. |
| DOI: | 10.1063/5.0009984 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/5.0009984 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:01 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:33 |
| Citer en APA 7: | Subramanian, A., George, B., Bobbara, S. R., Valitova, I., Ruggeri, I., Borghi, F., Podesta, A., Milani, P., Soavi, F., Santato, C., & Cicoira, F. (2020). Ion-gated transistors based on porous and compact TiO₂ films: Effect of Li ions in the gating medium. AIP Advances, 10(6), 7 pages. https://doi.org/10.1063/5.0009984 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
